白鹤滩－浙江±800千伏特高压线路工程（川3标段）“零缺陷”移交运行单位

在游戏方面，白鹤3标之前NvidiaShieldTV的虚幻4引擎演示下，白鹤3标游戏表现力方面也能够匹敌传统主机，在如此高性能的配置下，出现一款或者多款媲美传统主机大作的游戏，也并非不可能。

滩－特高b)不同Mo掺入量的超薄In2O3-ZISe-MoZ型纳米片的制氢速率。浙江d)In2O3-ZISeZ型纳米片的AFM图像。

此外，千伏缺陷催化剂表面和电解质界面处的水还原动力学也是限制析氢的关键因素。压线移交运行图2In2O3-ZISeZ型纳米片的形貌和元素分布a)In2O3-ZISeZ型纳米片的SEM图像。投稿以及内容合作可加编辑微信：程川cailiaokefu，我们会邀请各位老师加入专家群

当Mo原子以Mo—Se键的形式进一步掺入In2O3-ZISeZ型纳米片时，段零单位所得In2O3-ZISe-Mo纳米片可整合Z型催化剂和助催化剂的优势，段零单位相比In2O3-ZISe和In2O3纳米片(分别为319.7和29.9μmol·h-1·g-1)具有更高的制氢速率(6.95mmol·h-1·g-1)。【成果简介】近日，白鹤3标北京大学郭少军教授(通讯作者)等制备了一类超薄In2O3-ZnIn2Se4(简称In2O3-ZISe)自发Z型纳米片光催化剂，可显著增强光催化制氢性能。

滩－特高【小结】作者从理论和实验上证明了一类新型自发Z型In2O3-ZISe光催化体系。

通过形成Mo-Se键，浙江将Mo原子引入Z型In2O3-ZISe纳米片光催化剂中，制备的In2O3-ZISe-Mo的光催化制氢活性，相比In2O3-ZnIn2Se4和In2O3纳米片分别高出21.7和232.6倍。当Mo原子以Mo—Se键的形式进一步掺入In2O3-ZISeZ型纳米片时，千伏缺陷所得In2O3-ZISe-Mo纳米片可整合Z型催化剂和助催化剂的优势，千伏缺陷相比In2O3-ZISe和In2O3纳米片(分别为319.7和29.9μmol·h-1·g-1)具有更高的制氢速率(6.95mmol·h-1·g-1)。

【成果简介】近日，压线移交运行北京大学郭少军教授(通讯作者)等制备了一类超薄In2O3-ZnIn2Se4(简称In2O3-ZISe)自发Z型纳米片光催化剂，可显著增强光催化制氢性能。程川【小结】作者从理论和实验上证明了一类新型自发Z型In2O3-ZISe光催化体系。

通过形成Mo-Se键，段零单位将Mo原子引入Z型In2O3-ZISe纳米片光催化剂中，制备的In2O3-ZISe-Mo的光催化制氢活性，相比In2O3-ZnIn2Se4和In2O3纳米片分别高出21.7和232.6倍。然而迄今为止，白鹤3标大多数报道的Z型光催化剂体系从体相到催化剂表面的电荷转移效率仍然较低。